横向多孔GaN：从材料特性到光催化与谐振腔光电器件的创新突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的研究进程中，氮化镓（GaN）作为一种宽带隙半导体，以其约3.4电子伏特的宽带隙、高电子迁移率、高饱和漂移速度以及良好的热稳定性等突出特性，在光电子、功率电子和射频器件等领域占据了重要地位。在光电子领域，GaN基发光二极管（LED）已广泛应用于照明、显示和通信等方面，变革了传统照明方式，达成高效节能照明；GaN基激光二极管在光存储、光通信和激光显示等领域发挥着关键作用，有力支撑了高速数据传输和高分辨率显示。在功率电子领域，GaN器件具备低导通电阻、高开关速度和高功率密度等优势