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文件名称:该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性.docx
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更新时间:2026-03-24
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该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性

从数十年前被发明以来,MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低,推进了整体尺寸和功耗的大大削减。因为门氧化物厚度的减小,最大可容许电源降低,而通道长度和宽度的缩减则缩小了产品的形状并加快了其速度性能。这些改进推进了高频率轨到轨输入/输出的性能进展,以满足当今系统设计者对于某种新型日益增强的需求,这种电路必需能够以和数字电路同样低的电源电压举行工作。

本应用笔记解答了有关最新一代CMOS轨到轨放大器的一些独特问题。文章一开头大致研究并叙述了传统电压反馈和反馈