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文件名称:微纳制造与半导体器件 课件 1 半导体基本原理.pptx
文件大小:13.87 MB
总页数:111 页
更新时间:2026-03-25
总字数:约2.13千字
文档摘要

CONTENTS;第一篇、半导体基本原理;半导体材料晶体结构;1.1.2晶胞和晶格;1.1.3晶向和晶面;1.2单晶硅;1.3Ⅲ族氮化物;六方纤锌矿结构;;1.5晶体缺陷;;1.5.3面缺陷;习题;能带和PN结;;;2.1.2分布函数与费米能级;2.1.3能带的形成;;2.2半导体PN结;平衡独立时P区和N区的费米能级如图2.6(a)、(b)所示。当PN结达到热平衡状态时,由于热平衡状态时的半导体要保持统一的费米能级,即费米能级处处相等,其能带图与P型半导体和N型半导体独立时的能带图相比要发生变化。为了使热平衡PN结的费米能级达到统一,假设P区的能带不动,