基本信息
文件名称：GaN功率器件射频性能提升技术研发项目可行性研究报告.docx
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总页数：90 页
更新时间：2026-03-25
总字数：约5.71万字
文档摘要
GaN功率器件射频性能提升技术研发项目可行性研究报告
第一章总论
项目概要
项目名称
GaN功率器件射频性能提升技术研发项目
建设单位
深圳华芯半导体科技有限公司于2020年8月12日在深圳市南山区市场监督管理局注册成立，属有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、生产及销售；集成电路设计；电子元器件制造；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
建设性质
新建
建设地点
广东省深圳市南山区高新技术产业园区
投资估算及规模
本项目总投资估算为38650.50万元，其中一期工程投资估