基本信息

---

下载

文档摘要

---

防静电工程施工方案

第一章项目背景与目标

1.1工程概况

本工程位于华东某12英寸晶圆制造厂房，建筑面积3.2万m2，其中洁净区1.1万m2，静电敏感器件（ESDS）操作区0.6万m2。厂房内设备投资逾30亿元，单台光刻机价值4.2亿元，对静电电压控制要求≤±50V，静电放电（ESD）事件年发生率≤0.3次/千小时。

1.2风险识别

风险源

典型电压

潜在损失

发生概率

风险等级

人员行走

0.8–3kV

芯片栅氧击穿

高

Ⅲ

周转车摩擦

1.5–5kV

金线熔断

中

Ⅱ

包装剥离

5–15kV

掩膜版静电吸附

低

Ⅰ

1.3目标设定

a)表