极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN异质结场效应晶体管器件特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术飞速发展的当下，新型半导体材料与器件的研究始终是学术界和工业界关注的焦点。随着信息技术的不断进步，对电子器件的性能要求日益严苛，传统的硅基半导体器件由于材料自身特性的限制，在高频、高功率等应用场景下，逐渐难以满足实际需求，其性能已逼近理论极限。例如，在5G通信基站、新能源汽车充电桩以及航空航天等领域，需要器件具备更高的工作频率、更大的输出功率和更低的能耗，硅基器件在这些方面显得力不从心。

作为第三代半导体材料的杰出代表，氮化镓（GaN）凭借其一系列优异的特性，成为了