基于ALD技术的超薄HfO?材料电学特性及影响因素研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体技术的不断发展，器件尺寸持续缩小，对材料性能的要求也日益严苛。在这一背景下，原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）技术应运而生，并逐渐成为制备高质量超薄薄膜的关键技术之一。ALD技术通过将物质以单原子膜的形式逐层镀在基底表面，能够实现纳米量级超薄膜的沉积，其生长的薄膜具有很好的台阶覆盖率、大面积均匀性、致密无孔洞等优势，且厚度等沉积参数易于精确控制，特别适合复杂形貌、高深宽比沟槽表面的薄膜沉积，被广泛应用于High-K栅介质层、金属栅、铜扩散阻挡层等半导体先