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文档摘要

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探寻GaN基激光二极管量子阱发光奥秘与制备工艺革新

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，经历了三个重要时代。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，主要应用于集成电路等低压、低频、低功率场景，但在光电子和高频电子器件应用上存在局限。第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表，在高频、高速光电性能上有优势，是通信用半导体材料，但带隙较小等问题限制了其在高温、高频和高功率器件领域的应用，且存在环境污染潜在风险。而第三代半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等，具有宽禁带等优越性能，在多个领域展现出超越前两代的潜力。

氮化镓（GaN）作为