《集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:“ProcessandEvaluationRequirementsforBumpedWaferThinningin3DIntegratedCircuitPackaging”

摘要

随着摩尔定律逼近物理极限，集成电路产业正从传统的二维平面集成向三维立体集成（3DIC）演进，以实现更高的性能、更小的尺寸和更低的功耗。三维封装技术，尤其是基于硅通孔（TSV）和凸点互连的技术