氮化镓高电子迁移率晶体管：从微波特性到功率放大的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着通信技术的迅猛发展，人们对高速、高效、大容量通信的需求日益增长，这对通信系统中的关键组成部分——高频器件提出了更高的要求。从早期的2G通信到如今广泛普及的5G，乃至正在探索研究的6G，通信频率不断向高频段拓展。在高频通信领域，传统的半导体材料和器件逐渐难以满足日益严苛的性能需求，如高功率、高效率、高频率以及低损耗等。因此，寻找新型的高性能材料和器件成为推动通信技术持续进步的关键。

氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，在高频器件领域展现出巨大的潜力，成为研究的热