基本信息
文件名称：集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求标准立项修订与发展报告.docx
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总页数：4 页
更新时间：2026-03-30
总字数：约3.5千字
文档摘要
《集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求》标准立项与发展报告
EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProjectof“ProcessandEvaluationRequirementsforDicingofBumpedWafersin3DIntegratedCircuitPackaging”
摘要
随着摩尔定律逼近物理极限，集成电路技术发展路径正从传统的二维平面缩放转向以系统级封装（SiP）、晶圆级封装（WLP）和三维集成（3DIC）为代表的“超越摩尔”（MorethanM