锂氮共掺杂p型氧化锌基薄膜的制备工艺与光电器件性能研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电器件作为信息传输、处理和显示的关键组成部分，对于推动信息技术的进步起着至关重要的作用。半导体材料作为光电器件的核心基础，其性能的优劣直接决定了光电器件的性能和应用范围。随着对光电器件性能要求的不断提高，寻找具有优异性能的新型半导体材料成为了材料科学领域的研究热点之一。

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽带隙半导体材料，在光电器件应用中展现出了众多显著优势，因而备受关注。ZnO的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得它在室温下就能实现高效的激子复合发光，