基本信息
文件名称：MOSFET功率器行业发展规划.pdf
文件大小：6.89 MB
总页数：26 页
更新时间：2026-03-30
总字数：约1.53万字
文档摘要
MOSFET功率器行业发展规划
产业投资建设规划
功率器件分三大类：Si、SiC、GaNo功率半导体器件目前主要基
于三类材料：Si、SiC、GaNoSi功率器件是主流，最重要的原因在于
成本Si材料的击穿电压是三者中最低，而SiC和GaN属宽禁带半导
体材料，具有更高的带隙，更大的击穿电压高击穿电压的特性让SiC
和GaN在大功率、超高电压控