基本信息
文件名称：SiC功率器件外延生长工艺参数优化项目可行性研究报告.docx
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总页数：99 页
更新时间：2026-03-31
总字数：约6.49万字
文档摘要
SiC功率器件外延生长工艺参数优化项目可行性研究报告
第一章总论
项目概要
项目名称
SiC功率器件外延生长工艺参数优化项目
建设单位
中科晶能半导体科技有限公司于2023年5月在江苏省无锡市新吴区市场监督管理局注册成立，属于有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、生产及销售；集成电路设计；半导体材料技术开发、技术咨询、技术转让；电子元器件制造与销售（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
建设性质
技术改造及扩建
建设地点
江苏省无锡国家高新技术产业开发区半导体产业园内，该园区是国内半导体产业集聚度较高的区域之一，基础设施完善，产业配