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摘要

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温度是工业控制中的关键物理参数之一，尤其在半导体制造过程中的快速

热处理（RapidThermalProcessing,RTP）工艺中，温度的精准控制对器件性能、

成品良率和工艺一致性的影响至关重要。RTP过程中，晶圆表面的温度常在短

时间内迅速上升至1200℃，随后快速冷却，这种剧烈的热变化使得传统接触式

测温方法如热电偶和铂电阻因其响应速度慢、测量滞后及不适应真空高温环境

等问题，难以满足现