基本信息
文件名称：2026年半导体二极管试题及答案.doc
文件大小：23.02 KB
总页数：6 页
更新时间：2026-04-03
总字数：约2.56千字
文档摘要
2026年半导体二极管试题及答案
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.半导体二极管的主要特性是（）
A.放大特性B.单向导电性C.稳压特性D.整流特性
2.当二极管外加正向电压时，其正向电流是由（）
A.多数载流子扩散形成B.多数载流子漂移形成
C.少数载流子扩散形成D.少数载流子漂移形成
3.硅二极管的死区电压约为（）
A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.0.7V
4.锗二极管的导通电压约为（）
A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.0.7V
5.理想二极管正向导通时，其管