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文档摘要

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课第二章半导体异质结的组成与生长;问题？;第一节材料的一般特性

第二节异质结界面的晶格失配

第三节金属有机物化学气相外延生长

第四节分子束外延法（MBE）

;(1)晶格结构

立方晶

六方晶

晶格常数:Si:5.43A,Ge:5.658A

GaAs:5.56A,

GaN:c=5.189?,a=3.192?

;1双原子层堆积

2偶极层;3六方晶GaN的极性;4氮化镓材料的极化;5晶体结构测量;6半导体合金材料;Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN)*x+Eg(InN)*(1-x)–b*x*(1-x)

Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN)*x+Eg(AlN)*(1-x)–b*x*(1-x);对直接禁带半导体材料，材料的禁带宽度满足：;AlGaAs,AlGaN,InGaN.等

应用广泛,波长调节

光限制

载流子限制;第二节异质结界面的晶格失配;第14页，共42页。;悬挂键密度等于交界处键密度之差.;包含在这个面中的键数为2.;第17页，共42页。;第三节金属有机物化学气相外延生长;制造衬底材料

加工制成晶片;晶体生长过程是物质从其它相转变为结晶相的过程;;第22页，共42页。;;直拉法是生长元素和III-V族化合物半导体体单晶的主要方法。

该法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，