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文件名称:探索二维过渡金属卤族化合物输运性质:从理论到应用.docx
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总页数:29 页
更新时间:2026-04-06
总字数:约3.7万字
文档摘要
探索二维过渡金属卤族化合物输运性质:从理论到应用
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展,材料科学领域不断涌现出具有独特性能的新型材料,其中二维过渡金属卤族化合物(2DTransitionMetalHalides)凭借其卓越的电学、光学和力学等特性,成为了材料科学和凝聚态物理领域的研究焦点,在未来电子学、能源等领域展现出巨大的应用潜力。
在电子学领域,传统的硅基半导体材料逐渐逼近其物理极限,难以满足日益增长的高性能、低功耗和小型化的需求。二维过渡金属卤族化合物具有原子级厚度、高载流子迁移率和可调控的带隙等优势,为下一代电子器件的发展提供了新的契机。以二硫化钼(MoS_2)为