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研究报告

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GaNMISHEMT偏置温度不稳定性表征和寿命预测

第一章

1.3偏置温度不稳定性的物理机制

(1)GaNMISHEMT偏置温度不稳定性主要源于其物理结构的复杂性和材料特性的多样性。在器件工作过程中，随着温度的变化，半导体材料和绝缘层的性质会发生变化，进而导致器件的电气特性出现偏差。具体来说，温度升高会导致电子迁移率降低、载流子寿命缩短，以及绝缘层介电常数的变化，这些因素共同作用，使得器件的阈值电压、漏电流等关键参数随温度变化而波动，从而表现出偏置温度不稳定性。

(2)在物理机制方面，偏置温度不稳定性主要受到以下几个因素的影响：首先是热载流子的产