基本信息
文件名称：英飞凌功率晶体管IPTG111N20NM3FD用户手册.pdf
文件大小：931.52 KB
总页数：12 页
更新时间：2026-04-08
总字数：约2.29万字
文档摘要
英飞凌IPTG111N20NM3FD功率晶体管
英飞凌MOSFET功率晶体管
英飞凌IPTG111N20NM3FDOptiMOSTM3200V功率晶体管
特性
?N沟道，标准电平
?极低的导通电阻RDS(on)
?快速二极管(FD)，Qrr降低
?工作温度175°C
?无铅镀层；符合RoHS标准
?符合IEC61249-2-21标准的无卤素
?针对硬换向进行了优化，使其更加耐用
产品验证
完全符合JEDEC