Q/DXJ
浙江大华技术股份有限公司企业标准
Q/DXJ570—2022
代替Q/DXJ570—2020
存储卡
2022-11-10发布2023-01-01实施
浙江大华技术股份有限公司发布
Q/DXJ570—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起
草。
本文件代替Q/DXJ570—2020《存储卡》，与Q/DXJ570—2020相比，除编辑性修改外，主要技术变
化如下：
——更改了电磁兼容性引用标准为GB/T9254.1—2021（见4.3.2、5.4.2）；
——更改了跌落试验引用标准为GB/T2423.8（见5.5.7）；
——增加了擦写次数要求及试验方法（见4.2.2、5.3表5）；
——增加了盐雾适应性要求及试验方法（见4.6、5.7）；
——增加了压力适应性要求及试验方法（见4.7、5.8）；
——增加了扭曲特性要求及试验方法（见4.8、5.9）。
本文件由浙江大华技术股份有限公司提出并归口。
本文件起草单位：浙江大华技术股份有限公司。
本文件主要起草人：张仕平、黄琦、张鑫城、胡佳丽、郑兴波、王齐文、顾成娥、林勉嵩、梁奕昆。
本文件所代替文件的历次版本发布情况为：
——Q/DXJ570—2020。
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Q/DXJ570—2022
存储卡
1范围
本文件规定了存储卡的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存
等要求。
本文件适用于浙江大华技术股份有限公司生产、销售的存储卡。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T191—2008包装储运图示标志
GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
GB/T2423.2—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温
GB/T2423.3—2016环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验
GB/T2423.4—2008电子产品环境试验第2部分：实验方法试验Db：交变湿热(12h＋12h循环)
GB/T2423.5环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击
GB/T2423