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2024年第53卷第10期热加工工艺ISSN1001-3814

Vol.53No.102024HotWorkingTechnologyCN61-1133/TG

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.

http://www.rjrjggy@

W掺杂VO(M)粉体研究进展

2

1111,21,21

孙恒辉,周汶燕,王丹,袁新强,蒋鹏,张伟

(1.陕西理工大学材料科学与工程学院,陕西汉中723000;2.陕西理工大学矿渣综合利用环保技术国家地方联合

工程实验室,陕西汉中723000)

摘要院W掺杂M相VO渊W-VO渊M冤冤发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温袁在智能窗领域应用潜力巨

22

大遥在野双碳冶背景下袁继续开展W-VO渊M冤合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义遥从W单元素掺杂尧含W

2

掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳了W-VO2渊M冤粉体的研究情况袁分析了W尧Ti掺杂M相VO2

渊W/Ti-VO渊M冤冤粉体研究的可行性遥最后袁提出W/Ti-VO(M)与SiO复合形成核-壳结构渊W/Ti-VO渊M冤@SiO冤粉体的

22222

研究思路遥

关键词院W掺杂曰VO渊M冤粉体曰热致相变曰智能窗

2

中图分类号院TG113.12文献标识码院A文章编号院1001-3814(2024)10-0010-06

ResearchProgressofWDopedVO(M)Powder