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文件名称:探索Bi?O?Se纳米薄片与纳米线:从量子输运到拓扑超导.docx
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总页数:27 页
更新时间:2025-03-12
总字数:约3.55万字
文档摘要
探索Bi?O?Se纳米薄片与纳米线:从量子输运到拓扑超导
一、引言
1.1Bi?O?Se材料的独特魅力
1.1.1晶体结构:探索层状奥秘
Bi?O?Se在室温下形成具有四方结构的晶体,其空间群对称性为14/mmm,晶格常数a=b=3.88?,c=12.16?。在其晶体结构中,八个Bi原子位于立方体的顶点位置,[Bi?O?]2???阳离子层和[Se]2???阴离子层沿着c轴方向通过弱静电相互作用交替堆叠,形成了独特的层状结构,层厚约为0.61nm。这种层状性质使得Bi?O?Se在制造低至几层原子厚度的电子器件方面展现出极大的优势。
与常见的范德瓦尔斯(vdWs)层状材