基本信息
文件名称:探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的圆偏振光学性质:从原理到应用.docx
文件大小:52.99 KB
总页数:32 页
更新时间:2025-03-13
总字数:约4.04万字
文档摘要

探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的圆偏振光学性质:从原理到应用

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石,在电子学、光电子学等众多领域发挥着关键作用。Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,作为半导体家族中的重要成员,由元素周期表中Ⅲ族元素(如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)等)与Ⅴ族元素(如氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等)化合而成,凭借其独特的物理性质,在半导体领域占据着举足轻重的地位。

从物理性质上看,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有直接带隙特性,这使得电子在导带和价带之间跃迁时能够高效地吸收或发射光子,实现从光子到电子的高效能量转换。这种特性赋予了它们在光电器件应用中的