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文件名称:高迁移率Ⅲ-Ⅴ族纳米线:从可控合成到性能突破.docx
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总页数:48 页
更新时间:2025-03-14
总字数:约6.39万字
文档摘要
高迁移率Ⅲ-Ⅴ族纳米线:从可控合成到性能突破
一、绪论
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,纳米材料作为材料科学领域的前沿研究对象,正深刻地改变着诸多领域的发展格局。纳米线作为一种典型的一维纳米材料,因其独特的准一维几何形状和纳米级尺寸,展现出一系列与传统块体或薄膜材料截然不同的优异特性,在电子学、光学、能源、生物医学等众多领域展现出了巨大的应用潜力。
从电子学领域来看,随着摩尔定律逐渐逼近物理极限,传统硅基半导体器件的尺寸缩小面临着诸多挑战,如短沟道效应、功耗增加等问题日益凸显。而纳米线由于其高载流子迁移率、低功耗以及可实现三维集成等优势,被视为未来高性能晶体管、逻辑电路和存储