基本信息
文件名称:基于电荷平衡的槽型超结LDMOS新结构深度剖析与性能优化研究.docx
文件大小:39.99 KB
总页数:21 页
更新时间:2025-03-03
总字数:约2.56万字
文档摘要
基于电荷平衡的槽型超结LDMOS新结构深度剖析与性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电力电子系统中,功率半导体器件扮演着至关重要的角色,它们广泛应用于新能源汽车、智能电网、工业自动化以及消费电子等众多领域。横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)作为功率半导体器件家族的重要成员,凭借其独特的结构优势和电学特性,在中低电压功率应用场景中占据了显著地位。
LDMOS将双极型晶体管的大电流处理能力与MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率等优点相结合,具有良好的开关特性和导通电阻特性。在开关电源中,LDMOS能够高效地实现电能的转换与控制,为各类电子设备稳定供电;在