集成电路的纳米加工技术考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
本次考核旨在测试考生对集成电路纳米加工技术的理解与掌握程度，包括基本原理、工艺流程、设备操作、质量控制等方面。
一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.纳米加工技术中最常用的光刻技术是：
A.紫外光刻
B.激光光刻
C.电子束光刻
D.X射线光刻（）
2.集成电路制造中，用于去除多余材料的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
3.纳米加工中，用于检测半导体器件缺陷的技术是：
A.电子显微镜
B.X射线衍射
C.红外光谱
D.扫描探针显微镜（）
4.集成电路制造中，用于形成导电路径的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
5.纳米加工中，用于将材料沉积到基底上的技术是：
A.溶胶-凝胶法
B.化学气相沉积
C.电镀
D.离子束沉积（）
6.集成电路中，用于隔离不同电路区域的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
7.纳米加工中，用于控制刻蚀深度的技术是：
A.恒流刻蚀
B.恒压刻蚀
C.恒温刻蚀
D.恒速刻蚀（）
8.集成电路制造中，用于形成绝缘层的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
9.纳米加工中，用于测量材料厚度的技术是：
A.红外光谱
B.X射线衍射
C.扫描探针显微镜
D.电子显微镜（）
10.集成电路中，用于形成金属互连的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
11.纳米加工中，用于形成多晶硅的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
12.集成电路制造中，用于形成掺杂区的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
13.纳米加工中，用于检测材料成分的技术是：
A.红外光谱
B.X射线衍射
C.扫描探针显微镜
D.电子显微镜（）
14.集成电路中，用于形成存储单元的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
15.纳米加工中，用于形成纳米线的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
16.集成电路制造中，用于形成三极管的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
17.纳米加工中，用于形成量子点的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
18.集成电路中，用于形成电容的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
19.纳米加工中，用于形成纳米薄膜的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
20.集成电路制造中，用于形成电阻的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
21.纳米加工中，用于形成纳米孔的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
22.集成电路中，用于形成传感器的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
23.纳米加工中，用于形成纳米管的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
24.集成电路制造中，用于形成场效应晶体管的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
25.纳米加工中，用于形成纳米颗粒的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
26.集成电路中，用于形成逻辑门的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
27.纳米加工中，用于形成纳米线阵列的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
28.集成电路制造中，用于形成存储单元的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
29.纳米加工中，用于形成纳米结构的技术是：
A.化学气相沉积
B.离子束沉积
C.磁控溅射
D.溶胶-凝胶法（）
30.集成电路中，用于形成微机电系统（MEMS）的技术是：
A.光刻
B.沉积
C.刻蚀
D.化学气相沉积（）
二、多选题（本题共20小题，每