新型低维窄禁带半导体：制备、特性与光电功能器件的前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体材料作为关键基础，始终处于科技创新的核心地带，推动着众多领域的变革与进步。低维窄禁带半导体，作为半导体家族中的重要成员，以其独特的物理性质和卓越的性能，在光电子学、量子信息、能源等前沿领域展现出巨大的应用潜力，成为全球科研人员竞相探索的焦点。

低维窄禁带半导体，是指在一维、二维或三维空间上受到量子限制，且禁带宽度相对较窄（通常小于1eV）的半导体材料。这种特殊的结构和能带特性赋予了它们许多体材料所不具备的优异性能。由于量子限域效应，低维窄禁带半导体中的载流子在空间上