ICS29.045
CCSH21
团体标准
T/ZSA231-2024
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽
测试方法
TestmethodforfullwidthathalfmaximumofdoublecrystalX-rayrockingcurve
ofGaOsinglecrystalsubstrate
23
2024-05-15发布2024-05-16实施
中关村标准化协会发布
T/ZSA231-2024
目录
前言II
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法1
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4检测原理1
4.1晶体X射线衍射原理2
4.2摇摆曲线测试原理2
4.3晶体摇摆曲线半高宽2
5仪器及校准2
5.1光路配置2
5.2样品台3
5.3仪器校准3
6测试样品3
7干扰因素3
8测试环境4
9测试步骤4
10精密度4
11测试报告4
附录A6
参考文献7
I
T/ZSA231-2024
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中关村标准化协会技术委员会提出并归口。
本文件起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京镓创科技有限公司、北京聚睿众邦
科技有限公司、北京邮电大学、北京聚仪共享科技有限公司。
本文件主要起草人：李培刚、宫学源、闫方亮、李龙、杨丽霞、王进进、朱勋、郑红军、刘祎晨、
刘紫洋。
II
T/ZSA231-2024
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
1范围
本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。
本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机
械抛光后的样品同样适用于此方法。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过本文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用
于本文件。
GB/T14264半导体材料术语
GB/T1555-2023半导体单晶晶向测定方法
GB/T32188-2015氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
GB/T34612-2017蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
3.1
χ轴χaxi