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摘要

随着光伏产业的发展，对高效、高功率密度和低成本电网接口转换器的需求将越

来越大。功率开关器件作为逆变器的关键元件，GaN器件可进一步提高开关频率，

使逆变器的电能质量更高，因此对于GaN器件的研究是十分有意义的。本文以单相

三电平ANPC拓扑结构为核心，高频开关输入过电压为研究对象，主要从调制策略、

过压吸收和抑制母线电容电压不平衡等方面入手研究，主要工作内容如下：

首先，深入分析三电平拓扑结构和开关工作状态，当三电平逆变器中采用传统调