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文档摘要

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二维过渡金属硫属化物场效应晶体管接触工程：挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

自1965年戈登?摩尔提出摩尔定律以来，半导体集成电路行业遵循着晶体管尺寸不断缩小、性能不断提升的发展轨迹，实现了前所未有的进步。历经半个多世纪的持续创新，芯片制程工艺已从最初的微米级逐步推进至当前的7纳米、5纳米，甚至向2纳米及更先进节点迈进。然而，随着硅晶体管尺寸逼近物理极限，特别是当特征尺寸缩小至10纳米以下时，量子效应和短沟道效应带来的漏电、功耗急剧增加以及性能不稳定等问题日益凸显，严重制约了传统硅基CMOS技术的进一步发展。例如，在22纳米节点，为了抑制短沟道效应，引入