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文件名称:金属位取代的二茂金属衍生物光刻胶:合成路径、性能影响与多元应用.docx
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更新时间:2025-03-16
总字数:约2.5万字
文档摘要
金属位取代的二茂金属衍生物光刻胶:合成路径、性能影响与多元应用
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今数字化时代,半导体产业作为信息技术的基石,对全球经济和科技发展起着至关重要的推动作用。而光刻胶作为半导体制造过程中的关键材料,其性能和质量直接影响着芯片的性能、成品率及可靠性,在半导体产业中占据着举足轻重的地位。
随着集成电路技术的飞速发展,芯片特征尺寸不断缩小,对光刻技术的要求也日益提高。光刻技术的进步是实现芯片尺寸缩小和性能提升的关键因素之一,而光刻胶作为光刻工艺的核心材料,其性能的优劣直接决定了光刻分辨率和图形转移的精度。自20世纪80年代以来,光刻技术经历了从紫外(UV,G