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文档摘要

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InAlNGaNSBD器件的特性、工艺与应用前景研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体技术的飞速发展进程中，新型半导体器件的研发与应用始终是推动电子信息技术进步的核心驱动力。其中，InAlNGaN基半导体凭借其独特的材料特性，在光电子和微电子领域展现出了巨大的应用潜力，成为了学术界和工业界共同关注的焦点。InAlNGaNSBD（肖特基势垒二极管）器件作为基于InAlNGaN材料体系的重要成员，以其在高频、高温、高功率以及抗辐射等极端环境下的卓越性能，在无线通信、电力电子、航空航天等诸多关键领域发挥着不可或缺的作用，对这些领域的技术革新和产业升级产生了深远影响。

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