光电材料的研究现状与未来;“十一·五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请指南
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》工业节能优先主题的重要内容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
;本项目分解为七个研究方向：;“十·五”863项目申请指南;3)?可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)
4)?衬底材料制备与加工技术(B类)
重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready级）；大尺寸（2）蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。
5)?用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)
大面积(对角线14″)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术;等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。;2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标：
1)?新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类);
2)?面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件(A类);
3)?研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全固态激光器的全色显示技术(A类);
4)?研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类);
5)?Yb系列激光晶体技术(A类)。;3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容??主要指标：
1)?研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术，研制短波长光电子器件(A类)
2)?自组装量子点激光器技术(A类)
3)?Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)
4)?光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类);4、?光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。;5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)
研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。;（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善，探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
;研究内容及主要指标：
1)?光电集成芯片技术
(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)
(2)高速Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)
2)基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)
3)平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)
4)基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)
5)光电子芯片与集成系统(IntegratedSystem)的无生产线设计技术研究(A类);2、通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统和密集波分复用系统、全光网络以及光接入网系统的需要，重点进行一批技术含量高、市场前景广阔的目标产品和单元技术的研究开发，迅速促进相应产品系列的形成和规模化生产，显著提高我国通信光电子关键器件产业的综合竞争能力。;研