IGBT电力电子系统：多时间尺度多物理场数学模型构建与高效计算方法探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业与科技的迅猛发展进程中，电力电子技术已然成为支撑众多领域进步的关键力量。从日常的消费电子设备，到关乎国计民生的新能源发电、智能电网，再到引领交通变革的新能源汽车与轨道交通等领域，电力电子技术无处不在，其核心作用愈发凸显。而绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为电力电子系统的核心器件，更是扮演着无可替代的关键角色。

IGBT集成了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）高输入阻抗和双极结型晶体管（BJT）低导通压