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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG1415/6(R)

zNSICTechnology(Wuxi)Co.,LTD

Version2.1,2022.04.22

NSG1415/6(R)2A单通道低侧栅极驱动芯片

1产品特性高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6(R)逻辑输入

?输入输出同/反相位电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

?兼容3.3V、5V输入逻辑输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输

?工作范围：4.5V~25V出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

?高电容负载驱动能力：

--在1nF负载时，开关时间100ns

?宽温度范围：-40℃~125℃器件信息

?欠压锁定零件号封装封装尺寸（标称值）

芯片开通关断延时特性

?/NSG1415/6(R)SOT23-52.9mmx1.6mm

--Ton/Toff25ns/25ns

?驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=2A/2A

?符合RoSH标准

?SOT23-5封装简化示意图

2应用范围

?交换式电源、开关变换器

?通用栅驱动器

?驱动MOSFETs和IGBTs

3产品概述

NSG1415/6(R)是一款低电压功率MOSFET和IGBT同

相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现

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