面向DRAM性能优化的延迟锁相环电路深度剖析与创新设计

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代数字系统中，存储技术扮演着至关重要的角色，而动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory,DRAM）作为主存储器的核心组件，其性能直接影响着整个系统的运行效率。DRAM凭借其高存储密度、低成本和较快的读写速度，广泛应用于计算机、服务器、移动设备等各类电子产品中，是支撑现代信息技术发展的关键基础之一。根据相关市场研究报告显示，在全球存储芯片市场中，DRAM产品长期占据着超过50%的市场份额，2024年中国存储芯片市场规模预计将达到3006亿元，其中DR