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文件名称:忆阻器与CMOS融合:逻辑单元电路的创新设计与应用探索.docx
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总页数:27 页
更新时间:2025-03-31
总字数:约3.54万字
文档摘要
忆阻器与CMOS融合:逻辑单元电路的创新设计与应用探索
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代信息技术飞速发展的背景下,数字电路作为信息处理的核心基础,其性能的提升对于推动整个信息产业的进步起着至关重要的作用。自集成电路诞生以来,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术凭借其卓越的特性,如低功耗、高集成度、良好的抗干扰能力以及便于大规模生产等,在数字电路领域占据了主导地位,被广泛应用于计算机、通信、消费电子等众多领域,成为支撑现代电子设备运行的关键技术之一。随着科技的不断进步,人们对电子设备的性能要求日益严苛,特别是在人工智能、大数据、物联网等新兴领域,传统CMOS逻辑单元电路逐渐暴露出一