《模拟电子技术》模拟试题四
一、填空题（每空1分，共32分）
1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流ID=(),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=(),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ
14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）
1、三端集成稳压器 CW7906的输出电压是（）
A-6VB-9vC-12v
2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A(E、B、C)B(B、C、E)C(B、E、C)D(PNP)E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A饱和 B截止C交越D频率
4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定AuB放大信号C抑制零点漂移
5、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A放大差模抑制共模B输入电阻高C输出电阻低
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
A0-20B20-200C
7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=()U2。
A0.45B0.9C1.2
8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
AU-=U+BI-=I+=0CUo=UiDAu=1
9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
AUo高B Po大C效率高DRi大E波形不失真
10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器B选频网络C干扰或噪声
三、分析计算题（共34分）
1、已知：电路如图所示 V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通2）UAO=？（5分）
2、已知：电路如图所示Vcc=12VRB1=40kRB2=20kRc=RL=2k
RE=1.65kUBEQ=0.7VC1=C2=20ηFrbe=1.5Kβ=100
CE=10ηF （取小数点后一位）
求：1）ICQ2)UCEQ3)Au4)Ri5)Ro(10分)
3、已知：电路如图所示U1=1VU2=2V求(1）U01=?2)U0
(5分)
4、已知：RC振荡电路如下图所示R=7.9KΩC=0.02ηFR1=5KΩ
求：1）fo2）Rt冷态电阻3）指明Rt的温度特性（9分）
5、已知：电路如图IQ=5mAR1=500ΩR2=0.4KΩ
求：输出电压Uo（5分）
试题四答案
一、填空（每空1分共32分）
1、多数少数
2、导通截止
3、正向