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文档摘要

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金刚石刻划单晶氮化镓晶片应力场及裂纹扩展研究

一、引言

单晶氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场等优异特性，在高频、高功率电子器件以及光电器件领域展现出巨大的应用潜力。随着电子器件不断向小型化、高性能化发展，对GaN晶片的加工精度和表面质量提出了更为严苛的要求。在GaN晶片的加工过程中，金刚石刻划作为一种重要的微纳加工手段，能够实现对晶片表面的精确去除和微结构的构建。然而，刻划过程中不可避免地会在晶片内部引入应力场，进而引发裂纹的萌生与扩展，严重影响晶片的质量和器件的性能。因此，深入研究金刚石刻划单晶氮化镓晶片过程中的应力场分布及裂纹扩展