石墨基座表面CVD-SiC涂层：组织结构、性能及影响因素探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备扮演着至关重要的角色，是化合物半导体单晶衬底外延生长的关键设备，被广泛应用于制备化合物半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等，这些材料在发光二极管（LED）、射频器件、功率电子器件等领域有着重要应用。而石墨基座作为MOCVD设备的核心部件之一，在设备中承担着支撑和加热单晶衬底的重要作用，其热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用，直接决定了薄膜材料的均匀性和纯度，进而影响外延片的制备质量。

石墨材料因具